A1  吴幸教授课题组在二维材料研究领域取得重要进展，受Journal of Nanomaterials期刊邀请，发表题为“Graphene and other 2D material components dynamic characterization and nanofabrication at atomic-scale”的论文，分别针对二维原子晶体石墨烯（Graphene）和二硫化钼（MoS2）材料的制备、原子尺度的表征及电子器件的应用进行了综述。此外，吴幸教授课题组发现二硫化钼(MoS2)在电子辐照下的孔之间形成宽度为0.35纳米的超细钼硫化物丝带。进一步的第一原理研究表明，该Mo5S4纳米带的带隙为0.77eV，并能承受9％的拉伸应变，杨氏模量高达300GPa。利用电子束辐照进行纳米带加工为加工高结晶性二维纳米结构提供了可能，为全二维器件、光电器件的加工及高精度检测提供了实现手段。该方向的研究成果受邀在2014年国际光流控大会、以及全国光电技术与系统学术会议上发表。其中，题为“Real-time manipulation and dynamic characterization of nanodevices at atomic-scale”的大会报告被评为2014年度大会最佳论文奖，该奖项由知名学术出版商Wiley颁发。

        石艳玲教授课题组在“核高基”国家重大科技专项的资助下，开展40nm工艺的核心器件模型研究。随着器件尺寸不断缩小，互连等寄生电容对电路的延时贡献甚至达到了30%-50%，因此建立精准的互连延迟模型对制备高频电路至关重要。石艳玲教授课题组基于国内顶尖的集成电路制造技术，自主提出了一种几何相关的互连延迟分析技术，在优化测试电路的基础上，进行了大量的实际流片数据测试和产业化标准流程的仿真拟合，并获得了精准的模型拟合结果。该项成果是在上海集成电路研发中心、上海华力半导体的技术研发工作师共同努力下获得的，并获得华虹集团的年度科技进步奖。相关论文 “Extraction of Geometry-Related Interconnect Variation Based on Parasitic Capacitance Data”发表于EEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 35, NO. 10, OCTOBER 2014.