报告人：梁世军，副教授，南京大学

主持人：吴幸 教授

报告时间：2021年1月6日13:30

报告地点：闵行校区信息楼133室

报告题目：低维异质结器件物理和类脑应用

个人简介

梁世军，南京大学物理学院副教授,2017年获得新加坡科技设计大学博士学位，2017-2020年在南京大学任副研究员。研究兴趣包括二维电子材料的物性调控、异质结的器件物理、类脑计算器件和系统应用等。截至目前，作为第一（共同）作者或通讯作者在Nature Electronics、Science Advances、 Advanced Materials、 Nano Letters、IEDM等国际主流学术期刊和顶级会议上发表40多篇学术论文。研究成果已经被包括Semiconductor Today等国际主流媒体跟踪报道。获得的荣誉包括：第14届国际真空电子会议”主旨发言人”（2013年），国际真空纳米电子学会“The Shoulders-Gray-Spindt (SGS) Award”（2015年） (也称”青年科学家奖”,自从1999年该奖设立以来，首位华人获得者)，美国电子电气工程协会颁发的“博士生奖”（每年颁给全球3-4

博士生），SUTD优秀博士生研究奖（2016年），President’s Graduate Fellowship获得者（2013年）和University Best Dissertation Award(2017年)等。

报告摘要：

器件功耗已经成为制约未来基于冯诺依曼架构高性能集成电路发展的主要瓶颈之一。二维材料异质结有望为未来低功耗高性能计算电路的发展提供新的机遇。然而，异质结材料的厚度尺寸与德布罗意波长可相比拟，导致量子效应主导了载流子输运的过程。因此，如何利用二维材料异质结的新颖器件物理设计新原理低功耗器件成为后摩尔时代一个重要的科学问题。在本报告中，我将从异质结器件物理研究出发，介绍我们在异质结界面物理、异质结类脑器件、类脑电路和系统应用方面的初步探索。